Temps de retard (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés Formules

Le temps de retard (IGBT) est le temps nécessaire au courant du collecteur pour charger la capacité de l’émetteur de base d’un dispositif à transistor. Et est désigné par T_dl(igbt). Temps de retard (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Deuxième pour Temps. Notez que la valeur de Temps de retard (IGBT) est toujours positif.

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent Temps de retard (IGBT)

fxTemps d'arrêt de l'IGBTva

FAQ

Qu'est-ce que Temps de retard (IGBT) ?

Le temps de retard (IGBT) est le temps nécessaire au courant du collecteur pour charger la capacité de l’émetteur de base d’un dispositif à transistor. Temps de retard (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Deuxième pour Temps. Notez que la valeur de Temps de retard (IGBT) est toujours positif.

Le Temps de retard (IGBT) peut-il être négatif ?

Non, le Temps de retard (IGBT), mesuré dans Temps ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Temps de retard (IGBT) ?

Temps de retard (IGBT) est généralement mesuré à l'aide de Deuxième[s] pour Temps. milliseconde[s], Microseconde[s], Nanoseconde[s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Temps de retard (IGBT) peut être mesuré.

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