Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés Formules

Résistance du collecteur et de l’émetteur (IGBT), également connue sous le nom de résistance à l’état passant (R Et est désigné par R_ce(igbt). Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Kilohm pour Résistance électrique. Notez que la valeur de Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) est toujours positif.

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT)

fxCourant nominal continu du collecteur de l'IGBTva

FAQ

Qu'est-ce que Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) ?

Résistance du collecteur et de l’émetteur (IGBT), également connue sous le nom de résistance à l’état passant (R Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Kilohm pour Résistance électrique. Notez que la valeur de Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) est toujours positif.

Le Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) peut-il être négatif ?

Non, le Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT), mesuré dans Résistance électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) ?

Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) est généralement mesuré à l'aide de Kilohm[kΩ] pour Résistance électrique. Ohm[kΩ], mégohm[kΩ], Microhm[kΩ] sont les quelques autres unités dans lesquelles Résistance du collecteur et de l'émetteur (IGBT) peut être mesuré.

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