Résistance à la dérive (IGBT) dans Dispositifs à transistors avancés Formules

La résistance à la dérive (IGBT) est la région de dérive N du matériau semi-conducteur du dispositif. La région de dérive N est un silicium dopé épais qui sépare le collecteur de la région de base P. Et est désigné par R_d(igbt). Résistance à la dérive (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Kilohm pour Résistance électrique. Notez que la valeur de Résistance à la dérive (IGBT) est toujours positif.

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent Résistance à la dérive (IGBT)

fxChute de tension dans l'IGBT à l'état ONva

FAQ

Qu'est-ce que Résistance à la dérive (IGBT) ?

La résistance à la dérive (IGBT) est la région de dérive N du matériau semi-conducteur du dispositif. La région de dérive N est un silicium dopé épais qui sépare le collecteur de la région de base P. Résistance à la dérive (IGBT) est généralement mesuré à l'aide du Kilohm pour Résistance électrique. Notez que la valeur de Résistance à la dérive (IGBT) est toujours positif.

Le Résistance à la dérive (IGBT) peut-il être négatif ?

Non, le Résistance à la dérive (IGBT), mesuré dans Résistance électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Résistance à la dérive (IGBT) ?

Résistance à la dérive (IGBT) est généralement mesuré à l'aide de Kilohm[kΩ] pour Résistance électrique. Ohm[kΩ], mégohm[kΩ], Microhm[kΩ] sont les quelques autres unités dans lesquelles Résistance à la dérive (IGBT) peut être mesuré.

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