Région d'épuisement des collecteurs dans Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes Formules

Le temps de transit de la région d’épuisement du collecteur dans un BJT fait référence à la durée nécessaire aux porteurs de charge pour traverser la région collecteur-émetteur du transistor. Et est désigné par τ_ttc. Région d'épuisement des collecteurs est généralement mesuré à l'aide du Microseconde pour Temps. Notez que la valeur de Région d'épuisement des collecteurs est toujours positif.