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Ratio d'aspect dans MOSFET Formules
Le rapport d’aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C’est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source Et est désigné par WL.
Formules MOSFET qui utilisent Ratio d'aspect
f
x
Courant de drain sans modulation de longueur de canal du MOSFET
va
f
x
Tension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielle
va
f
x
Transconductance donnée Courant de drain
va
f
x
Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre
va
f
x
Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge
va
f
x
Transconductance du processus en fonction de la transconductance et du courant de drain
va
f
x
Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus
va
f
x
Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge
va
f
x
Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus
va
f
x
Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus
va
f
x
Le courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension
va
FAQ
Qu'est-ce que Ratio d'aspect ?
Le rapport d’aspect est défini comme le rapport de la largeur du canal du transistor à sa longueur. C’est le rapport entre la largeur de la porte et la distance entre la source
Le Ratio d'aspect peut-il être négatif ?
{YesorNo}, le Ratio d'aspect, mesuré dans {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot}, peut être négatif.
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