Profondeur de la région d'épuisement de la source dans MOSFET Formules

La profondeur de la région d’appauvrissement de la source est la région d’appauvrissement qui se forme près de la borne source lorsqu’une tension est appliquée à la borne de grille. Et est désigné par x_dS. Profondeur de la région d'épuisement de la source est généralement mesuré à l'aide du Mètre pour Longueur. Notez que la valeur de Profondeur de la région d'épuisement de la source est toujours positif.

Formules pour rechercher Profondeur de la région d'épuisement de la source dans MOSFET

fxProfondeur de la région d'épuisement associée à la sourceva

Liste des variables dans les formules MOSFET

fx Potentiel de jonction intégré va

fx Concentration dopante de l'accepteur va

FAQ

Qu'est-ce que Profondeur de la région d'épuisement de la source ?

La profondeur de la région d’appauvrissement de la source est la région d’appauvrissement qui se forme près de la borne source lorsqu’une tension est appliquée à la borne de grille. Profondeur de la région d'épuisement de la source est généralement mesuré à l'aide du Mètre pour Longueur. Notez que la valeur de Profondeur de la région d'épuisement de la source est toujours positif.

Le Profondeur de la région d'épuisement de la source peut-il être négatif ?

Non, le Profondeur de la région d'épuisement de la source, mesuré dans Longueur ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Profondeur de la région d'épuisement de la source ?

Profondeur de la région d'épuisement de la source est généralement mesuré à l'aide de Mètre[m] pour Longueur. Millimètre[m], Kilomètre[m], Décimètre[m] sont les quelques autres unités dans lesquelles Profondeur de la région d'épuisement de la source peut être mesuré.

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