Potentiel intégré des jonctions des parois latérales dans Amplificateurs Formules

Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor. Et est désigné par Φ_osw. Potentiel intégré des jonctions des parois latérales est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Potentiel intégré des jonctions des parois latérales est toujours positif.

Formules Amplificateurs qui utilisent Potentiel intégré des jonctions des parois latérales

fxCapacité de jonction de paroi latérale à polarisation nulleva

FAQ

Qu'est-ce que Potentiel intégré des jonctions des parois latérales ?

Le potentiel intégré des jonctions des parois latérales fait référence à la jonction formée le long des surfaces verticales ou des parois latérales de la structure du transistor. Potentiel intégré des jonctions des parois latérales est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Potentiel intégré des jonctions des parois latérales est toujours positif.

Le Potentiel intégré des jonctions des parois latérales peut-il être négatif ?

Non, le Potentiel intégré des jonctions des parois latérales, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Potentiel intégré des jonctions des parois latérales ?

Potentiel intégré des jonctions des parois latérales est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Potentiel intégré des jonctions des parois latérales peut être mesuré.

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