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Paramètre d'effet de backgate dans MOSFET Formules
Le paramètre d’effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l’amplification, la commutation et à d’autres fins. Et est désigné par γ
p
.
Formules pour rechercher Paramètre d'effet de backgate dans MOSFET
f
x
Paramètre d'effet de backgate dans PMOS
va
Liste des variables dans les formules MOSFET
f
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Concentration des donateurs
va
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Capacité d'oxyde
va
FAQ
Qu'est-ce que Paramètre d'effet de backgate ?
Le paramètre d’effet Backgate fait référence à un phénomène qui se produit dans les transistors à effet de champ, qui sont des dispositifs électroniques utilisés pour l’amplification, la commutation et à d’autres fins.
Le Paramètre d'effet de backgate peut-il être négatif ?
{YesorNo}, le Paramètre d'effet de backgate, mesuré dans {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot}, peut être négatif.
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