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Paramètre de transconductance de processus dans PMOS dans MOSFET Formules

Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d’un transistor. Et est désigné par k'p. Paramètre de transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de Paramètre de transconductance de processus dans PMOS est toujours négatif.

Formules pour rechercher Paramètre de transconductance de processus dans PMOS dans MOSFET

fxParamètre de transconductance de processus de PMOS​va

Formules MOSFET qui utilisent Paramètre de transconductance de processus dans PMOS

fxLe courant de drain donné NMOS fonctionne comme une source de courant commandée en tension​va
fxCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS​va
fxCourant de drain dans la région triode du transistor PMOS donné Vsd​va
fxCourant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS​va
fxCourant de drain dans la région de saturation du transistor PMOS donné Vov​va
fxCourant de drain global du transistor PMOS​va

Liste des variables dans les formules MOSFET

fx Mobilité des trous dans le canal ​va
fx Capacité d'oxyde ​va

FAQ

Qu'est-ce que Paramètre de transconductance de processus dans PMOS ?
Le paramètre de transconductance de processus dans PMOS (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation de dispositifs semi-conducteurs pour caractériser les performances d’un transistor. Paramètre de transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de Paramètre de transconductance de processus dans PMOS est toujours négatif.
Le Paramètre de transconductance de processus dans PMOS peut-il être négatif ?
Oui, le Paramètre de transconductance de processus dans PMOS, mesuré dans Conductivité électrique peut, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Paramètre de transconductance de processus dans PMOS ?
Paramètre de transconductance de processus dans PMOS est généralement mesuré à l'aide de millisiemens[mS] pour Conductivité électrique. Siemens[mS], mégasiemens[mS], Mho[mS] sont les quelques autres unités dans lesquelles Paramètre de transconductance de processus dans PMOS peut être mesuré.
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