Paramètre de transconductance de processus dans MOSFET Formules

Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d’un transistor. Et est désigné par k'_n. Paramètre de transconductance de processus est généralement mesuré à l'aide du Ampère par volt carré pour Paramètre de transconductance. Notez que la valeur de Paramètre de transconductance de processus est toujours négatif.

Formules MOSFET qui utilisent Paramètre de transconductance de processus

fxTension aux bornes de la grille et de la source du MOSFET en fonctionnement avec une tension d'entrée différentielleva

fxFacteur d'amplification pour le modèle MOSFET à petit signalva

FAQ

Qu'est-ce que Paramètre de transconductance de processus ?

Le paramètre de transconductance de processus (PTM) est un paramètre utilisé dans la modélisation des dispositifs à semi-conducteurs pour caractériser les performances d’un transistor. Paramètre de transconductance de processus est généralement mesuré à l'aide du Ampère par volt carré pour Paramètre de transconductance. Notez que la valeur de Paramètre de transconductance de processus est toujours négatif.

Le Paramètre de transconductance de processus peut-il être négatif ?

Oui, le Paramètre de transconductance de processus, mesuré dans Paramètre de transconductance peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Paramètre de transconductance de processus ?

Paramètre de transconductance de processus est généralement mesuré à l'aide de Ampère par volt carré[A/V²] pour Paramètre de transconductance. Milliampère par volt carré[A/V²], Microampère par volt carré[A/V²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Paramètre de transconductance de processus peut être mesuré.

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