Optimisation des matériaux VLSI Formules

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fxCapacité de porte
fxCapacité de porte intrinsèque
fxCapacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
fxCapacité d'oxyde après mise à l'échelle de tension VLSI
fxCapacité d'oxyde de porte
fxCapacité parasitaire totale de la source
fxCharge de canal
fxCoefficient d'effet corporel
fxCoefficient DIBL
fxConcentration d'accepteur après mise à l'échelle complète du VLSI
fxConcentration des donneurs après VLSI à pleine échelle
fxCourant de drain après mise à l'échelle complète du VLSI
fxCourant de drain après mise à l'échelle de tension VLSI
fxCourant de jonction
fxCourant de saturation des canaux courts VLSI
fxDensité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
fxDensité de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
fxDissipation de puissance après mise à l'échelle de tension VLSI
fxÉpaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
fxJonction Tension intégrée VLSI
fxK-Prime
fxLargeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
fxLongueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
fxLongueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
fxMobilité à Mosfet
fxPente sous-seuil
fxPotentiel de surface
fxProfondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec drain VLSI
fxProfondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
fxProfondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
fxRéduction de tension de seuil de canal court VLSI
fxTension critique
fxTension d'alimentation après mise à l'échelle complète du VLSI
fxTension de seuil
fxTension de seuil après mise à l'échelle complète du VLSI
fxTension de seuil de canal court VLSI
fxTension de seuil de canal étroit VLSI
fxTension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
fxTension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI
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