Mobilité du silicium dopé par trous dans Circuits intégrés (CI) Formules

La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d’un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d’un champ électrique appliqué. Et est désigné par μ_p. Mobilité du silicium dopé par trous est généralement mesuré à l'aide du Centimètre carré par volt seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité du silicium dopé par trous est toujours positif.

Formules Circuits intégrés (CI) qui utilisent Mobilité du silicium dopé par trous

fxConductivité ohmique des impuretésva

fxConductivité de type Nva

fxConductivité de type Pva

FAQ

Qu'est-ce que Mobilité du silicium dopé par trous ?

La mobilité du silicium dopé par trou est la capacité d’un trou à traverser un métal ou un semi-conducteur en présence d’un champ électrique appliqué. Mobilité du silicium dopé par trous est généralement mesuré à l'aide du Centimètre carré par volt seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité du silicium dopé par trous est toujours positif.

Le Mobilité du silicium dopé par trous peut-il être négatif ?

Non, le Mobilité du silicium dopé par trous, mesuré dans Mobilité ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Mobilité du silicium dopé par trous ?

Mobilité du silicium dopé par trous est généralement mesuré à l'aide de Centimètre carré par volt seconde[cm²/V*s] pour Mobilité. Mètre carré par volt par seconde[cm²/V*s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Mobilité du silicium dopé par trous peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!