Mobilité du silicium dopé électroniquement dans Circuits intégrés (CI) Formules

La mobilité du silicium par dopage électronique caractérise la rapidité avec laquelle un électron peut se déplacer à travers un métal ou un semi-conducteur lorsqu’il est attiré par un champ électrique. Et est désigné par μ_n. Mobilité du silicium dopé électroniquement est généralement mesuré à l'aide du Centimètre carré par volt seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité du silicium dopé électroniquement est toujours positif.