Mobilité des électrons à la surface du canal dans MOSFET Formules

La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d’un matériau semi-conducteur, tel qu’un canal en silicium dans un transistor. Et est désigné par μ_s. Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide du Mètre carré par volt par seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité des électrons à la surface du canal est toujours positif.

Formules MOSFET qui utilisent Mobilité des électrons à la surface du canal

fxConductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à sourceva

fxConductance du canal des MOSFETva

fxMOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspectva

FAQ

Qu'est-ce que Mobilité des électrons à la surface du canal ?

La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d’un matériau semi-conducteur, tel qu’un canal en silicium dans un transistor. Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide du Mètre carré par volt par seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité des électrons à la surface du canal est toujours positif.

Le Mobilité des électrons à la surface du canal peut-il être négatif ?

Non, le Mobilité des électrons à la surface du canal, mesuré dans Mobilité ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Mobilité des électrons à la surface du canal ?

Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide de Mètre carré par volt par seconde[m²/V*s] pour Mobilité. Centimètre carré par volt seconde[m²/V*s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Mobilité des électrons à la surface du canal peut être mesuré.

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