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Mobilité des électrons à la surface du canal dans MOSFET Formules
La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d’un matériau semi-conducteur, tel qu’un canal en silicium dans un transistor. Et est désigné par μ
s
. Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide du Mètre carré par volt par seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité des électrons à la surface du canal est toujours positif.
Formules MOSFET qui utilisent Mobilité des électrons à la surface du canal
f
x
Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source
va
f
x
Conductance du canal des MOSFET
va
f
x
MOSFET comme résistance linéaire compte tenu du rapport d'aspect
va
FAQ
Qu'est-ce que Mobilité des électrons à la surface du canal ?
La mobilité des électrons à la surface du canal fait référence à la capacité des électrons à se déplacer ou à traverser la surface d’un matériau semi-conducteur, tel qu’un canal en silicium dans un transistor. Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide du Mètre carré par volt par seconde pour Mobilité. Notez que la valeur de Mobilité des électrons à la surface du canal est toujours positif.
Le Mobilité des électrons à la surface du canal peut-il être négatif ?
Non, le Mobilité des électrons à la surface du canal, mesuré dans Mobilité ne peut pas, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Mobilité des électrons à la surface du canal ?
Mobilité des électrons à la surface du canal est généralement mesuré à l'aide de Mètre carré par volt par seconde[m²/V*s] pour Mobilité. Centimètre carré par volt seconde[m²/V*s] sont les quelques autres unités dans lesquelles Mobilité des électrons à la surface du canal peut être mesuré.
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