Largeur de la région d'épuisement dans Conception et applications CMOS Formules

La largeur de la région d’appauvrissement dans une diode Si typique varie d’une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe. Et est désigné par L_d. Largeur de la région d'épuisement est généralement mesuré à l'aide du Millimètre pour Longueur. Notez que la valeur de Largeur de la région d'épuisement est toujours positif.

Formules pour rechercher Largeur de la région d'épuisement dans Conception et applications CMOS

fxLargeur de la région d'appauvrissementva

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Largeur de la région d'épuisement

fxLongueur effective du canalva

fxLongueur de jonction PNva

Liste des variables dans les formules Conception et applications CMOS

fx Longueur de jonction PN va

fx Longueur effective du canal va

FAQ

Qu'est-ce que Largeur de la région d'épuisement ?

La largeur de la région d’appauvrissement dans une diode Si typique varie d’une fraction de micromètre à des dizaines de micromètres en fonction de la géométrie du dispositif, du profil de dopage et de la polarisation externe. Largeur de la région d'épuisement est généralement mesuré à l'aide du Millimètre pour Longueur. Notez que la valeur de Largeur de la région d'épuisement est toujours positif.

Le Largeur de la région d'épuisement peut-il être négatif ?

Non, le Largeur de la région d'épuisement, mesuré dans Longueur ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Largeur de la région d'épuisement ?

Largeur de la région d'épuisement est généralement mesuré à l'aide de Millimètre[mm] pour Longueur. Mètre[mm], Kilomètre[mm], Décimètre[mm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Largeur de la région d'épuisement peut être mesuré.

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