Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes dans Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes Formules

Le gain de puissance maximal d’un transistor micro-ondes est la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale. Et est désigné par G_max.

Formules pour rechercher Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes dans Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes

fxGain de puissance maximal du transistor micro-ondesva

Liste des variables dans les formules Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes

fx Fréquence limite du temps de transit va

fx Fréquence de gain de puissance va

fx Impédance de sortie va

fx Impédance d'entrée va

FAQ

Qu'est-ce que Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes ?

Le gain de puissance maximal d’un transistor micro-ondes est la fréquence à laquelle le transistor fonctionne de manière optimale.

Le Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes peut-il être négatif ?

{YesorNo}, le Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes, mesuré dans {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot}, peut être négatif.

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