Gain de courant de l'émetteur commun dans BJT Formules

Le gain de courant de l’émetteur commun est influencé par 2 facteurs : la largeur de la région de base W et les dopages relatifs de la région de base et de la région de l’émetteur. Sa gamme varie de 50 à 200. Et est désigné par β.

Formules pour rechercher Gain de courant de l'émetteur commun dans BJT

fxGain de courant d'émetteur commun utilisant le gain de courant de base communeva

Formules BJT qui utilisent Gain de courant de l'émetteur commun

fxCourant de base 1 de BJTva

fxCourant de base 2 de BJTva

fxCourant de base utilisant le courant de saturation en courant continuva

fxCourant de référence du miroir BJT donné Courant de collecteurva

fxCourant de base du transistor PNP utilisant le courant de collecteurva

fxCourant de base du transistor PNP utilisant le courant de saturationva

fxCourant de base du transistor PNP donné Courant de l'émetteurva

fxCourant de référence du miroir BJTva

fxCourant de collecteur utilisant le courant de fuiteva

fxCourant d'émetteur utilisant le gain de courant d'émetteur communva

fxCourant d'émetteur utilisant le courant de collecteur et le gain de courantva

fxRésistance d'entrée en mode commun du demi-circuit BJTva

fxGain de tension global de l'amplificateur tampon compte tenu de la résistance de chargeva

fxGain de courant de base communeva

fxRésistance d'entrée de petit signal entre la base et l'émetteur utilisant la transconductanceva

Liste des variables dans les formules BJT

fx Gain de courant de base commune va

Gain de courant de l'émetteur commun dans BJT Formules

Formules pour rechercher Gain de courant de l'émetteur commun dans BJT

Formules BJT qui utilisent Gain de courant de l'émetteur commun

Liste des variables dans les formules BJT

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