FET à transconductance directe dans Dispositifs à transistors avancés Formules

Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d’une modification de la tension d’entrée, indiquant la capacité d’amplification de l’appareil. Et est désigné par G_m(fet). FET à transconductance directe est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de FET à transconductance directe est toujours positif.

Formules pour rechercher FET à transconductance directe dans Dispositifs à transistors avancés

fxTransconductance du FETva

Formules Dispositifs à transistors avancés qui utilisent FET à transconductance directe

fxGain de tension du FETva

Liste des variables dans les formules Dispositifs à transistors avancés

fx Courant de drain de polarisation zéro va

fx Tension de pincement va

fx Tension de source de drain FET va

FAQ

Qu'est-ce que FET à transconductance directe ?

Le FET à transconductance directe fait référence à la modification du courant de sortie résultant d’une modification de la tension d’entrée, indiquant la capacité d’amplification de l’appareil. FET à transconductance directe est généralement mesuré à l'aide du millisiemens pour Conductivité électrique. Notez que la valeur de FET à transconductance directe est toujours positif.

Le FET à transconductance directe peut-il être négatif ?

Non, le FET à transconductance directe, mesuré dans Conductivité électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer FET à transconductance directe ?

FET à transconductance directe est généralement mesuré à l'aide de millisiemens[mS] pour Conductivité électrique. Siemens[mS], mégasiemens[mS], Mho[mS] sont les quelques autres unités dans lesquelles FET à transconductance directe peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!