Étendue latérale de la région d'épuisement avec source dans Fabrication VLSI Formules

Étendue latérale de la région d’appauvrissement avec la source : distance horizontale sur laquelle la région d’appauvrissement s’étend latéralement à partir du terminal source dans un dispositif semi-conducteur. Et est désigné par ΔL_s. Étendue latérale de la région d'épuisement avec source est généralement mesuré à l'aide du Micromètre pour Longueur. Notez que la valeur de Étendue latérale de la région d'épuisement avec source est toujours positif.

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Étendue latérale de la région d'épuisement avec source

fxDensité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSIva

FAQ

Qu'est-ce que Étendue latérale de la région d'épuisement avec source ?

Étendue latérale de la région d’appauvrissement avec la source : distance horizontale sur laquelle la région d’appauvrissement s’étend latéralement à partir du terminal source dans un dispositif semi-conducteur. Étendue latérale de la région d'épuisement avec source est généralement mesuré à l'aide du Micromètre pour Longueur. Notez que la valeur de Étendue latérale de la région d'épuisement avec source est toujours positif.

Le Étendue latérale de la région d'épuisement avec source peut-il être négatif ?

Non, le Étendue latérale de la région d'épuisement avec source, mesuré dans Longueur ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Étendue latérale de la région d'épuisement avec source ?

Étendue latérale de la région d'épuisement avec source est généralement mesuré à l'aide de Micromètre[μm] pour Longueur. Mètre[μm], Millimètre[μm], Kilomètre[μm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Étendue latérale de la région d'épuisement avec source peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!