Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain dans Fabrication VLSI Formules

Étendue latérale de la région d’appauvrissement avec drain : distance horizontale sur laquelle la région d’appauvrissement s’étend latéralement à partir de la borne de drain dans un dispositif semi-conducteur. Et est désigné par ΔL_D. Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain est généralement mesuré à l'aide du Micromètre pour Longueur. Notez que la valeur de Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain est toujours positif.

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain

fxDensité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSIva

FAQ

Qu'est-ce que Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain ?

Étendue latérale de la région d’appauvrissement avec drain : distance horizontale sur laquelle la région d’appauvrissement s’étend latéralement à partir de la borne de drain dans un dispositif semi-conducteur. Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain est généralement mesuré à l'aide du Micromètre pour Longueur. Notez que la valeur de Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain est toujours positif.

Le Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain peut-il être négatif ?

Non, le Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain, mesuré dans Longueur ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain ?

Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain est généralement mesuré à l'aide de Micromètre[μm] pour Longueur. Mètre[μm], Millimètre[μm], Kilomètre[μm] sont les quelques autres unités dans lesquelles Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain peut être mesuré.

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