Concentration maximale de dopant dans Circuits intégrés (CI) Formules

La concentration maximale de dopant décrit comment la concentration d’atomes dopants dans un matériau semi-conducteur diminue de façon exponentielle avec l’augmentation de la température. Et est désigné par C_s. Concentration maximale de dopant est généralement mesuré à l'aide du Électrons par centimètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration maximale de dopant est toujours négatif.

Formules pour rechercher Concentration maximale de dopant dans Circuits intégrés (CI)

fxConcentration maximale de dopantva

Liste des variables dans les formules Circuits intégrés (CI)

fx Concentration de référence va

fx Énergie d'activation pour la solubilité solide va

fx Température absolue va

FAQ

Qu'est-ce que Concentration maximale de dopant ?

La concentration maximale de dopant décrit comment la concentration d’atomes dopants dans un matériau semi-conducteur diminue de façon exponentielle avec l’augmentation de la température. Concentration maximale de dopant est généralement mesuré à l'aide du Électrons par centimètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration maximale de dopant est toujours négatif.

Le Concentration maximale de dopant peut-il être négatif ?

Oui, le Concentration maximale de dopant, mesuré dans Densité d'électron peut, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration maximale de dopant ?

Concentration maximale de dopant est généralement mesuré à l'aide de Électrons par centimètre cube[electrons/cm³] pour Densité d'électron. Électrons par mètre cube[electrons/cm³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration maximale de dopant peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!