Concentration électronique intrinsèque dans Conception et applications CMOS Formules

La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d’électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque. Et est désigné par n_i.

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Concentration électronique intrinsèque

fxPotentiel intégréva

fxTension thermique du CMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Concentration électronique intrinsèque ?

La concentration électronique intrinsèque est définie comme le nombre d’électrons dans la bande de conduction ou le nombre de trous dans la bande de valence dans un matériau intrinsèque.

Le Concentration électronique intrinsèque peut-il être négatif ?

{YesorNo}, le Concentration électronique intrinsèque, mesuré dans {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot}, peut être négatif.

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