Concentration de dopant du donneur dans Circuits intégrés (CI) Formules

La concentration de dopant donneur est la concentration d’atomes donneurs par unité de volume. Et est désigné par N_d. Concentration de dopant du donneur est généralement mesuré à l'aide du Électrons par mètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration de dopant du donneur est toujours positif.

Formules pour rechercher Concentration de dopant du donneur dans Circuits intégrés (CI)

fxConcentration de dopant du donneurva

Liste des variables dans les formules Circuits intégrés (CI)

fx Courant de saturation va

fx Longueur du transistor va

fx Largeur du transistor va

fx Mobilité électronique va

fx Capacité de la couche d'épuisement va

FAQ

Qu'est-ce que Concentration de dopant du donneur ?

La concentration de dopant donneur est la concentration d’atomes donneurs par unité de volume. Concentration de dopant du donneur est généralement mesuré à l'aide du Électrons par mètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration de dopant du donneur est toujours positif.

Le Concentration de dopant du donneur peut-il être négatif ?

Non, le Concentration de dopant du donneur, mesuré dans Densité d'électron ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration de dopant du donneur ?

Concentration de dopant du donneur est généralement mesuré à l'aide de Électrons par mètre cube[electrons/m³] pour Densité d'électron. Électrons par centimètre cube[electrons/m³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration de dopant du donneur peut être mesuré.

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