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Circuits intégrés (CI)
Concentration de dopant accepteur dans Circuits intégrés (CI) Formules
La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur. Et est désigné par N
a
. Concentration de dopant accepteur est généralement mesuré à l'aide du Électrons par mètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration de dopant accepteur est toujours positif.
Formules pour rechercher Concentration de dopant accepteur dans Circuits intégrés (CI)
f
x
Concentration de dopant accepteur
va
Liste des variables dans les formules Circuits intégrés (CI)
f
x
Longueur du transistor
va
f
x
Largeur du transistor
va
f
x
Mobilité des trous
va
f
x
Capacité de la couche d'épuisement
va
FAQ
Qu'est-ce que Concentration de dopant accepteur ?
La concentration de dopant accepteur est la mobilité des porteurs de charge (des trous dans ce cas) et les dimensions du dispositif semi-conducteur. Concentration de dopant accepteur est généralement mesuré à l'aide du Électrons par mètre cube pour Densité d'électron. Notez que la valeur de Concentration de dopant accepteur est toujours positif.
Le Concentration de dopant accepteur peut-il être négatif ?
Non, le Concentration de dopant accepteur, mesuré dans Densité d'électron ne peut pas, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Concentration de dopant accepteur ?
Concentration de dopant accepteur est généralement mesuré à l'aide de Électrons par mètre cube[electrons/m³] pour Densité d'électron. Électrons par centimètre cube[electrons/m³] sont les quelques autres unités dans lesquelles Concentration de dopant accepteur peut être mesuré.
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