Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS dans Conception et applications CMOS Formules

Tension d’entrée maximale de charge résistive CMOS pour une charge résistive en CMOS fait référence au niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué à la borne d’entrée d’un dispositif CMOS sans causer de dommages. Et est désigné par V_IL(RL). Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est toujours positif.

Formules pour rechercher Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS dans Conception et applications CMOS

fxCharge résistive Tension d'entrée maximale CMOSva

Liste des variables dans les formules Conception et applications CMOS

fx Tension de seuil de polarisation nulle va

fx Transconductance du NMOS va

fx Résistance à la charge va

FAQ

Qu'est-ce que Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

Tension d’entrée maximale de charge résistive CMOS pour une charge résistive en CMOS fait référence au niveau de tension le plus élevé qui peut être appliqué à la borne d’entrée d’un dispositif CMOS sans causer de dommages. Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est généralement mesuré à l'aide du Volt pour Potentiel électrique. Notez que la valeur de Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est toujours positif.

Le Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS peut-il être négatif ?

Non, le Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS, mesuré dans Potentiel électrique ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS ?

Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS est généralement mesuré à l'aide de Volt[V] pour Potentiel électrique. millivolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sont les quelques autres unités dans lesquelles Charge résistive Tension d'entrée maximale CMOS peut être mesuré.

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