Capacité interne CMOS de l'onduleur dans Conception et applications CMOS Formules

La capacité interne CMOS de l’onduleur fait référence aux capacités parasites au sein d’un onduleur CMOS, y compris les capacités de jonction et de chevauchement, affectant sa vitesse de commutation et sa consommation d’énergie. Et est désigné par C_in. Capacité interne CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide du FemtoFarad pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité interne CMOS de l'onduleur est toujours positif.

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Capacité interne CMOS de l'onduleur

fxCapacité de charge de l'onduleur en cascade CMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Capacité interne CMOS de l'onduleur ?

La capacité interne CMOS de l’onduleur fait référence aux capacités parasites au sein d’un onduleur CMOS, y compris les capacités de jonction et de chevauchement, affectant sa vitesse de commutation et sa consommation d’énergie. Capacité interne CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide du FemtoFarad pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité interne CMOS de l'onduleur est toujours positif.

Le Capacité interne CMOS de l'onduleur peut-il être négatif ?

Non, le Capacité interne CMOS de l'onduleur, mesuré dans Capacitance ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité interne CMOS de l'onduleur ?

Capacité interne CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide de FemtoFarad[fF] pour Capacitance. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité interne CMOS de l'onduleur peut être mesuré.

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!