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Capacité d'oxyde par unité de surface dans Fabrication VLSI Formules

La capacité d’oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d’oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur. Et est désigné par Coxide. Capacité d'oxyde par unité de surface est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par centimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité d'oxyde par unité de surface est toujours positif.

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Capacité d'oxyde par unité de surface

fxCourant de saturation des canaux courts VLSI​va
fxCapacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI​va
fxRéduction de tension de seuil de canal court VLSI​va
fxCapacité d'oxyde après mise à l'échelle de tension VLSI​va
fxTension de seuil supplémentaire à canal étroit VLSI​va

FAQ

Qu'est-ce que Capacité d'oxyde par unité de surface ?
La capacité d’oxyde par unité de surface est définie comme la capacité par unité de surface de la couche d’oxyde isolante qui sépare la grille métallique du matériau semi-conducteur. Capacité d'oxyde par unité de surface est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par centimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité d'oxyde par unité de surface est toujours positif.
Le Capacité d'oxyde par unité de surface peut-il être négatif ?
Non, le Capacité d'oxyde par unité de surface, mesuré dans Capacité d'oxyde par unité de surface ne peut pas, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité d'oxyde par unité de surface ?
Capacité d'oxyde par unité de surface est généralement mesuré à l'aide de Microfarad par centimètre carré[μF/cm²] pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Farad par mètre carré[μF/cm²], Nanofarad par centimètre carré[μF/cm²], Microfarad par millimètre carré[μF/cm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité d'oxyde par unité de surface peut être mesuré.
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