Capacité de porte CMOS de l'onduleur dans Conception et applications CMOS Formules

La capacité de grille CMOS de l’onduleur est la capacité totale à la borne de grille d’un onduleur CMOS, ayant un impact sur la vitesse de commutation et la consommation d’énergie, composée de la porte à la source. Et est désigné par C_g. Capacité de porte CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide du FemtoFarad pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de porte CMOS de l'onduleur est toujours positif.

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Capacité de porte CMOS de l'onduleur

fxCapacité de charge de l'onduleur en cascade CMOSva

FAQ

Qu'est-ce que Capacité de porte CMOS de l'onduleur ?

La capacité de grille CMOS de l’onduleur est la capacité totale à la borne de grille d’un onduleur CMOS, ayant un impact sur la vitesse de commutation et la consommation d’énergie, composée de la porte à la source. Capacité de porte CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide du FemtoFarad pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de porte CMOS de l'onduleur est toujours positif.

Le Capacité de porte CMOS de l'onduleur peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de porte CMOS de l'onduleur, mesuré dans Capacitance ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de porte CMOS de l'onduleur ?

Capacité de porte CMOS de l'onduleur est généralement mesuré à l'aide de FemtoFarad[fF] pour Capacitance. Farad[fF], Kilofarad[fF], Millifarad[fF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de porte CMOS de l'onduleur peut être mesuré.

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