Capacité de la couche d'oxyde de grille dans Fabrication VLSI Formules

La capacité de la couche d’oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d’un transistor à effet de champ. Et est désigné par C_ox. Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par millimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité de la couche d'oxyde de grille est toujours positif.

Formules pour rechercher Capacité de la couche d'oxyde de grille dans Fabrication VLSI

fxCapacité d'oxyde de porteva

Formules Fabrication VLSI qui utilisent Capacité de la couche d'oxyde de grille

fxLongueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porteva

fxK-Primeva

fxMobilité à Mosfetva

Liste des variables dans les formules Fabrication VLSI

fx Capacité de porte va

fx Largeur du portail va

fx Longueur de la porte va

FAQ

Qu'est-ce que Capacité de la couche d'oxyde de grille ?

La capacité de la couche d’oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d’un transistor à effet de champ. Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par millimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité de la couche d'oxyde de grille est toujours positif.

Le Capacité de la couche d'oxyde de grille peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de la couche d'oxyde de grille, mesuré dans Capacité d'oxyde par unité de surface ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de la couche d'oxyde de grille ?

Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide de Microfarad par millimètre carré[μF/mm²] pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Farad par mètre carré[μF/mm²], Nanofarad par centimètre carré[μF/mm²], Microfarad par centimètre carré[μF/mm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de la couche d'oxyde de grille peut être mesuré.

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