Capacité de la couche d'oxyde de grille dans Conception et applications CMOS Formules

La capacité de la couche d’oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d’un transistor à effet de champ. Et est désigné par C_ox. Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par millimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité de la couche d'oxyde de grille est toujours positif.

Formules Conception et applications CMOS qui utilisent Capacité de la couche d'oxyde de grille

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FAQ

Qu'est-ce que Capacité de la couche d'oxyde de grille ?

La capacité de la couche d’oxyde de grille est définie comme la capacité de la borne de grille d’un transistor à effet de champ. Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide du Microfarad par millimètre carré pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Notez que la valeur de Capacité de la couche d'oxyde de grille est toujours positif.

Le Capacité de la couche d'oxyde de grille peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de la couche d'oxyde de grille, mesuré dans Capacité d'oxyde par unité de surface ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de la couche d'oxyde de grille ?

Capacité de la couche d'oxyde de grille est généralement mesuré à l'aide de Microfarad par millimètre carré[μF/mm²] pour Capacité d'oxyde par unité de surface. Farad par mètre carré[μF/mm²], Nanofarad par centimètre carré[μF/mm²], Microfarad par centimètre carré[μF/mm²] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de la couche d'oxyde de grille peut être mesuré.

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