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Capacité de jonction base-émetteur dans BJT Formules
La capacité de jonction base-émetteur est la capacité de la jonction qui est polarisée en direct et qui est représentée par une diode. Et est désigné par C. Capacité de jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide du microfarades pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de jonction base-émetteur est toujours négatif.
Formules pour rechercher Capacité de jonction base-émetteur dans BJT
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Capacité de jonction base-émetteur
va
Formules BJT qui utilisent Capacité de jonction base-émetteur
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Tension d'entrée finie de BJT à une fréquence de gain unitaire donnée Variable de fréquence complexe
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Liste des variables dans les formules BJT
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Capacité émetteur-base
va
FAQ
Qu'est-ce que Capacité de jonction base-émetteur ?
La capacité de jonction base-émetteur est la capacité de la jonction qui est polarisée en direct et qui est représentée par une diode. Capacité de jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide du microfarades pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de jonction base-émetteur est toujours négatif.
Le Capacité de jonction base-émetteur peut-il être négatif ?
Oui, le Capacité de jonction base-émetteur, mesuré dans Capacitance peut, peut être négatif.
Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de jonction base-émetteur ?
Capacité de jonction base-émetteur est généralement mesuré à l'aide de microfarades[μF] pour Capacitance. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de jonction base-émetteur peut être mesuré.
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