Capacité de base du collecteur dans Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes Formules

La capacité de base du collecteur fait référence à la capacité qui existe entre le collecteur et la base d’un transistor à jonction bipolaire (BJT). Et est désigné par C_c. Capacité de base du collecteur est généralement mesuré à l'aide du microfarades pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de base du collecteur est toujours positif.

Formules pour rechercher Capacité de base du collecteur dans Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes

fxCapacité de base du collecteurva

Formules Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes qui utilisent Capacité de base du collecteur

fxFréquence maximale des oscillationsva

fxRésistance de baseva

Liste des variables dans les formules Dispositifs à semi-conducteurs micro-ondes

fx Fréquence de coupure dans BJT va

fx Fréquence maximale des oscillations va

fx Résistance de base va

FAQ

Qu'est-ce que Capacité de base du collecteur ?

La capacité de base du collecteur fait référence à la capacité qui existe entre le collecteur et la base d’un transistor à jonction bipolaire (BJT). Capacité de base du collecteur est généralement mesuré à l'aide du microfarades pour Capacitance. Notez que la valeur de Capacité de base du collecteur est toujours positif.

Le Capacité de base du collecteur peut-il être négatif ?

Non, le Capacité de base du collecteur, mesuré dans Capacitance ne peut pas, peut être négatif.

Quelle unité est utilisée pour mesurer Capacité de base du collecteur ?

Capacité de base du collecteur est généralement mesuré à l'aide de microfarades[μF] pour Capacitance. Farad[μF], Kilofarad[μF], Millifarad[μF] sont les quelques autres unités dans lesquelles Capacité de base du collecteur peut être mesuré.

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