Voltaje de umbral adicional de canal estrecho en Fabricación de VLSI Fórmulas

El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET. Y se indica con ΔV_T0(nc). Voltaje de umbral adicional de canal estrecho generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Voltaje de umbral adicional de canal estrecho es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral adicional de canal estrecho en Fabricación de VLSI

fxVoltaje de umbral adicional de canal estrecho VLSIIr

Fórmulas de Fabricación de VLSI que utilizan Voltaje de umbral adicional de canal estrecho

fxVoltaje de umbral de canal estrecho VLSIIr

Lista de variables en fórmulas de Fabricación de VLSI

fx Parámetro empírico Ir

fx Agotamiento del volumen vertical en el sustrato Ir

fx Ancho de banda Ir

fx Capacitancia de óxido por unidad de área Ir

fx Concentración de aceptor Ir

fx Potencial de superficie Ir

FAQ

¿Qué es Voltaje de umbral adicional de canal estrecho?

El voltaje de umbral adicional de canal estrecho se define como una contribución adicional al voltaje de umbral debido a los efectos de canal estrecho en MOSFET. Voltaje de umbral adicional de canal estrecho generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Voltaje de umbral adicional de canal estrecho es siempre positivo.

¿Puede el Voltaje de umbral adicional de canal estrecho ser negativo?

No, el Voltaje de umbral adicional de canal estrecho, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje de umbral adicional de canal estrecho?

Voltaje de umbral adicional de canal estrecho generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje de umbral adicional de canal estrecho.

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