Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) en Dispositivos de transistores avanzados Fórmulas

El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente. Y se indica con V_{c-e(sat)(igbt)}. Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) en Dispositivos de transistores avanzados

fxVoltaje de saturación de IGBTIr

Lista de variables en fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados

fx Voltaje base emisor PNP IGBT Ir

fx Corriente de drenaje (IGBT) Ir

fx Resistencia a la conductividad IGBT Ir

fx Resistencia del canal N (IGBT) Ir

FAQ

¿Qué es Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)?

El voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) de un transistor bipolar de puerta aislada es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente. Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) es siempre positivo.

¿Puede el Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) ser negativo?

No, el Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT), medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT)?

Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT) generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Voltaje de saturación de colector a emisor (IGBT).

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