Transconductancia del MESFET en Dispositivos semiconductores de microondas Fórmulas

La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente. Y se indica con G_m. Transconductancia del MESFET generalmente se mide usando Siemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Transconductancia del MESFET es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Transconductancia del MESFET en Dispositivos semiconductores de microondas

fxTransconductancia en la región de saturación en MESFETIr

Fórmulas de Dispositivos semiconductores de microondas que utilizan Transconductancia del MESFET

fxFrecuencia de corte MESFETIr

fxFactor de ruido GaAs MESFETIr

Lista de variables en fórmulas de Dispositivos semiconductores de microondas

fx Conductancia de salida Ir

fx Voltaje de entrada Ir

fx Voltaje umbral Ir

fx Voltaje de pellizco Ir

FAQ

¿Qué es Transconductancia del MESFET?

La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente. Transconductancia del MESFET generalmente se mide usando Siemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Transconductancia del MESFET es siempre positivo.

¿Puede el Transconductancia del MESFET ser negativo?

No, el Transconductancia del MESFET, medido en Conductancia eléctrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Transconductancia del MESFET?

Transconductancia del MESFET generalmente se mide usando Siemens[S] para Conductancia eléctrica. Megasiemens[S], milisiemens[S], Mho[S] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Transconductancia del MESFET.

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