FormulaDen.com
Física
Química
Mates
Ingeniería Química
Civil
Eléctrico
Electrónica
Electrónica e instrumentación
Ciencia de los Materiales
Mecánico
Ingeniería de Producción
Financiero
Salud
Usted está aquí
-
Hogar
»
Ingenieria
»
Eléctrico
»
Electrónica de potencia
Tiempo de caída inicial (IGBT) en Dispositivos de transistores avanzados Fórmulas
El tiempo de caída inicial (IGBT) es el tiempo que tarda la corriente del colector en caer del 90% al 10% de su valor inicial después de que se apaga el voltaje de la compuerta. Y se indica con t
f1(igbt)
. Tiempo de caída inicial (IGBT) generalmente se mide usando Segundo para Tiempo. Tenga en cuenta que el valor de Tiempo de caída inicial (IGBT) es siempre positivo.
Fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados que utilizan Tiempo de caída inicial (IGBT)
f
x
Tiempo de apagado del IGBT
Ir
FAQ
¿Qué es Tiempo de caída inicial (IGBT)?
El tiempo de caída inicial (IGBT) es el tiempo que tarda la corriente del colector en caer del 90% al 10% de su valor inicial después de que se apaga el voltaje de la compuerta. Tiempo de caída inicial (IGBT) generalmente se mide usando Segundo para Tiempo. Tenga en cuenta que el valor de Tiempo de caída inicial (IGBT) es siempre positivo.
¿Puede el Tiempo de caída inicial (IGBT) ser negativo?
No, el Tiempo de caída inicial (IGBT), medido en Tiempo no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Tiempo de caída inicial (IGBT)?
Tiempo de caída inicial (IGBT) generalmente se mide usando Segundo[s] para Tiempo. Milisegundo[s], Microsegundo[s], nanosegundo[s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Tiempo de caída inicial (IGBT).
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!