Resistencia del canal N (IGBT) en Dispositivos de transistores avanzados Fórmulas

La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido. Y se indica con R_ch(igbt). Resistencia del canal N (IGBT) generalmente se mide usando kilohmios para Resistencia electrica. Tenga en cuenta que el valor de Resistencia del canal N (IGBT) es siempre positivo.

Fórmulas de Dispositivos de transistores avanzados que utilizan Resistencia del canal N (IGBT)

fxCaída de voltaje en IGBT en estado ONIr

fxVoltaje de saturación de IGBTIr

FAQ

¿Qué es Resistencia del canal N (IGBT)?

La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido. Resistencia del canal N (IGBT) generalmente se mide usando kilohmios para Resistencia electrica. Tenga en cuenta que el valor de Resistencia del canal N (IGBT) es siempre positivo.

¿Puede el Resistencia del canal N (IGBT) ser negativo?

No, el Resistencia del canal N (IGBT), medido en Resistencia electrica no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Resistencia del canal N (IGBT)?

Resistencia del canal N (IGBT) generalmente se mide usando kilohmios[kΩ] para Resistencia electrica. Ohm[kΩ], Megaohmio[kΩ], Microhm[kΩ] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Resistencia del canal N (IGBT).

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