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Relación de aspecto en MOSFET Fórmulas
La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente Y se indica con WL.
Fórmulas de MOSFET que utilizan Relación de aspecto
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Corriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFET
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Voltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencial
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Transconductancia dada corriente de drenaje
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Transconductancia dada Proceso Parámetro de transconductancia
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Transconductancia utilizando el parámetro de transconductancia del proceso y el voltaje de sobremarcha
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Transconductancia del proceso dada la transconductancia y la corriente de drenaje
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Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso
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Transconductancia MOSFET utilizando el parámetro de transconductancia de proceso y el voltaje de sobremarcha
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Drenar Transconductancia y transconductancia del proceso dado actual
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Parámetro de transconductancia MOSFET mediante transconductancia de proceso
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La corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltaje
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FAQ
¿Qué es Relación de aspecto?
La relación de aspecto se define como la relación entre el ancho del canal del transistor y su longitud. Es la relación entre el ancho de la puerta y la distancia entre la fuente
¿Puede el Relación de aspecto ser negativo?
{YesorNo}, el Relación de aspecto, medido en {OutputVariableMeasurementName} {CanorCannot} sea negativo.
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