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Región de profundidad de agotamiento de la fuente en MOSFET Fórmulas

La región de profundidad de agotamiento de la fuente es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta. Y se indica con xdS. Región de profundidad de agotamiento de la fuente generalmente se mide usando Metro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Región de profundidad de agotamiento de la fuente es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Región de profundidad de agotamiento de la fuente en MOSFET

fxProfundidad de agotamiento Región asociada con la fuente​Ir

Lista de variables en fórmulas de MOSFET

fx Potencial de unión incorporado ​Ir
fx Concentración de dopaje del aceptor ​Ir

FAQ

¿Qué es Región de profundidad de agotamiento de la fuente?
La región de profundidad de agotamiento de la fuente es la región de agotamiento que se forma cerca del terminal de la fuente cuando se aplica un voltaje al terminal de la puerta. Región de profundidad de agotamiento de la fuente generalmente se mide usando Metro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Región de profundidad de agotamiento de la fuente es siempre positivo.
¿Puede el Región de profundidad de agotamiento de la fuente ser negativo?
No, el Región de profundidad de agotamiento de la fuente, medido en Longitud no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Región de profundidad de agotamiento de la fuente?
Región de profundidad de agotamiento de la fuente generalmente se mide usando Metro[m] para Longitud. Milímetro[m], Kilómetro[m], Decímetro[m] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Región de profundidad de agotamiento de la fuente.
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