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Teoría de microondas
Región de agotamiento del colector en Dispositivos semiconductores de microondas Fórmulas
El tiempo de tránsito de la región de agotamiento del colector en un BJT se refiere al tiempo que tardan los portadores de carga en viajar a través de la región colector-emisor del transistor. Y se indica con τ
ttc
. Región de agotamiento del colector generalmente se mide usando Microsegundo para Tiempo. Tenga en cuenta que el valor de Región de agotamiento del colector es siempre positivo.
Fórmulas de Dispositivos semiconductores de microondas que utilizan Región de agotamiento del colector
f
x
Tiempo total de tránsito
Ir
FAQ
¿Qué es Región de agotamiento del colector?
El tiempo de tránsito de la región de agotamiento del colector en un BJT se refiere al tiempo que tardan los portadores de carga en viajar a través de la región colector-emisor del transistor. Región de agotamiento del colector generalmente se mide usando Microsegundo para Tiempo. Tenga en cuenta que el valor de Región de agotamiento del colector es siempre positivo.
¿Puede el Región de agotamiento del colector ser negativo?
No, el Región de agotamiento del colector, medido en Tiempo no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Región de agotamiento del colector?
Región de agotamiento del colector generalmente se mide usando Microsegundo[μs] para Tiempo. Segundo[μs], Milisegundo[μs], nanosegundo[μs] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Región de agotamiento del colector.
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