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Fabricación de VLSI
Puerta para drenar el potencial en Fabricación de VLSI Fórmulas
El potencial de puerta a drenaje se define como el voltaje entre la puerta y la unión de drenaje de los MOSFET. Y se indica con V
gd
. Puerta para drenar el potencial generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Puerta para drenar el potencial es siempre positivo.
Fórmulas para encontrar Puerta para drenar el potencial en Fabricación de VLSI
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Puerta para drenar el potencial
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Fórmulas de Fabricación de VLSI que utilizan Puerta para drenar el potencial
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Puerta a la fuente potencial
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Lista de variables en fórmulas de Fabricación de VLSI
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FAQ
¿Qué es Puerta para drenar el potencial?
El potencial de puerta a drenaje se define como el voltaje entre la puerta y la unión de drenaje de los MOSFET. Puerta para drenar el potencial generalmente se mide usando Voltio para Potencial eléctrico. Tenga en cuenta que el valor de Puerta para drenar el potencial es siempre positivo.
¿Puede el Puerta para drenar el potencial ser negativo?
No, el Puerta para drenar el potencial, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Puerta para drenar el potencial?
Puerta para drenar el potencial generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Puerta para drenar el potencial.
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