FormulaDen.com
Física
Química
Mates
Ingeniería Química
Civil
Eléctrico
Electrónica
Electrónica e instrumentación
Ciencia de los Materiales
Mecánico
Ingeniería de Producción
Financiero
Salud
Usted está aquí
-
Hogar
»
Ingenieria
»
Electrónica
»
Fabricación de VLSI
Profundidad de unión en Fabricación de VLSI Fórmulas
La profundidad de unión se define como la distancia desde la superficie de un material semiconductor hasta el punto donde se produce un cambio significativo en la concentración de átomos dopantes. Y se indica con x
j
. Profundidad de unión generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Profundidad de unión es siempre positivo.
Fórmulas de Fabricación de VLSI que utilizan Profundidad de unión
f
x
Profundidad de unión después de VLSI de escala completa
Ir
f
x
Reducción de voltaje de umbral de canal corto VLSI
Ir
FAQ
¿Qué es Profundidad de unión?
La profundidad de unión se define como la distancia desde la superficie de un material semiconductor hasta el punto donde se produce un cambio significativo en la concentración de átomos dopantes. Profundidad de unión generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Profundidad de unión es siempre positivo.
¿Puede el Profundidad de unión ser negativo?
No, el Profundidad de unión, medido en Longitud no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Profundidad de unión?
Profundidad de unión generalmente se mide usando Micrómetro[μm] para Longitud. Metro[μm], Milímetro[μm], Kilómetro[μm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Profundidad de unión.
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!