Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente en Fabricación de VLSI Fórmulas

La profundidad de agotamiento de la unión pn con la fuente se define como la región alrededor de una unión pn donde los portadores de carga se han agotado debido a la formación de un campo eléctrico. Y se indica con x_dS. Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente es siempre positivo.