Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje en Fabricación de VLSI Fórmulas

La profundidad de agotamiento de la unión Pn con drenaje se define como la extensión de la región de agotamiento hacia el material semiconductor cerca del terminal de drenaje. Y se indica con x_dD. Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje es siempre positivo.

Fórmulas para encontrar Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje en Fabricación de VLSI

fxProfundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje VLSIIr

Fórmulas de Fabricación de VLSI que utilizan Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje

fxReducción de voltaje de umbral de canal corto VLSIIr

Lista de variables en fórmulas de Fabricación de VLSI

fx Concentración de aceptor Ir

fx Voltaje incorporado de unión Ir

fx Drenar a la fuente potencial Ir

FAQ

¿Qué es Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje?

La profundidad de agotamiento de la unión Pn con drenaje se define como la extensión de la región de agotamiento hacia el material semiconductor cerca del terminal de drenaje. Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje es siempre positivo.

¿Puede el Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje ser negativo?

No, el Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje, medido en Longitud no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje?

Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje generalmente se mide usando Micrómetro[μm] para Longitud. Metro[μm], Milímetro[μm], Kilómetro[μm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Profundidad de agotamiento de la unión PN con drenaje.

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