Proceso de transconductancia en PMOS en MOSFET Fórmulas

La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta. Y se indica con k'_p. Proceso de transconductancia en PMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Proceso de transconductancia en PMOS es siempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que utilizan Proceso de transconductancia en PMOS

fxCorriente de drenaje sin modulación de longitud de canal de MOSFETIr

fxDrenar la corriente de saturación de MOSFETIr

FAQ

¿Qué es Proceso de transconductancia en PMOS?

La transconductancia del proceso en PMOS se refiere a la ganancia de un transistor PMOS con respecto a su voltaje de fuente de puerta. Proceso de transconductancia en PMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Proceso de transconductancia en PMOS es siempre negativo.

¿Puede el Proceso de transconductancia en PMOS ser negativo?

Sí, el Proceso de transconductancia en PMOS, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Proceso de transconductancia en PMOS?

Proceso de transconductancia en PMOS generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Proceso de transconductancia en PMOS.

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