El tipo P de penetración de carga se refiere al fenómeno en el que los átomos dopantes, como el boro o el galio, introducen agujeros en la red cristalina del material semiconductor, normalmente silicio o germanio. Y se indica con xpo. Penetración de carga tipo P generalmente se mide usando Micrómetro para Longitud. Tenga en cuenta que el valor de Penetración de carga tipo P es siempre positivo.