Parámetro de transconductancia del proceso en MOSFET Fórmulas

El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Y se indica con k'_n. Parámetro de transconductancia del proceso generalmente se mide usando Amperio por voltio cuadrado para Parámetro de transconductancia. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia del proceso es siempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que utilizan Parámetro de transconductancia del proceso

fxVoltaje a través de la puerta y la fuente del MOSFET en funcionamiento con voltaje de entrada diferencialIr

fxFactor de amplificación para el modelo MOSFET de pequeña señalIr

FAQ

¿Qué es Parámetro de transconductancia del proceso?

El parámetro de transconductancia de proceso (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Parámetro de transconductancia del proceso generalmente se mide usando Amperio por voltio cuadrado para Parámetro de transconductancia. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia del proceso es siempre negativo.

¿Puede el Parámetro de transconductancia del proceso ser negativo?

Sí, el Parámetro de transconductancia del proceso, medido en Parámetro de transconductancia poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia del proceso?

Parámetro de transconductancia del proceso generalmente se mide usando Amperio por voltio cuadrado[A/V²] para Parámetro de transconductancia. Miliamperios por voltio cuadrado[A/V²], Microamperio por voltio cuadrado[A/V²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia del proceso.

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