Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS en MOSFET Fórmulas

El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Y se indica con k'_p. Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS es siempre negativo.

Fórmulas para encontrar Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS en MOSFET

fxParámetro de transconductancia de proceso de PMOSIr

Fórmulas de MOSFET que utilizan Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS

fxLa corriente de drenaje dado que NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltajeIr

fxCorriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOSIr

fxCorriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado VsdIr

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Lista de variables en fórmulas de MOSFET

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FAQ

¿Qué es Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS?

El parámetro de transconductancia de proceso en PMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS es siempre negativo.

¿Puede el Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS ser negativo?

Sí, el Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS?

Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia de proceso en PMOS.

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