Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS en MOSFET Fórmulas

El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Y se indica con k'_n. Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS es siempre negativo.

Fórmulas de MOSFET que utilizan Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS

fxTerminal de drenaje de entrada de corriente de NMOS dado el voltaje de la fuente de la puertaIr

fxFuente de drenaje de entrada actual en la región triodo de NMOSIr

fxFuente de drenaje de entrada actual en la región de saturación de NMOSIr

fxFuente de drenaje de entrada de corriente en la región de saturación de NMOS dada la tensión efectivaIr

fxFuente de drenaje de entrada actual en el límite de la región de saturación y triodo de NMOSIr

fxDrenar corriente cuando NMOS funciona como fuente de corriente controlada por voltajeIr

fxTerminal de drenaje de entrada actual de NMOSIr

FAQ

¿Qué es Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS?

El parámetro de transconductancia de proceso en NMOS (PTM) es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos semiconductores para caracterizar el rendimiento de un transistor. Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS generalmente se mide usando milisiemens para Conductancia eléctrica. Tenga en cuenta que el valor de Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS es siempre negativo.

¿Puede el Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS ser negativo?

Sí, el Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS?

Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Parámetro de transconductancia de proceso en NMOS.

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