¿Qué es Movilidad del silicio con dopaje electrónico?
La movilidad del silicio con dopaje electrónico caracteriza la rapidez con la que un electrón puede moverse a través de un metal o semiconductor cuando es atraído por un campo eléctrico. Movilidad del silicio con dopaje electrónico generalmente se mide usando centímetro cuadrado por segundo voltio para Movilidad. Tenga en cuenta que el valor de Movilidad del silicio con dopaje electrónico es siempre positivo.
¿Puede el Movilidad del silicio con dopaje electrónico ser negativo?
No, el Movilidad del silicio con dopaje electrónico, medido en Movilidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Movilidad del silicio con dopaje electrónico?
Movilidad del silicio con dopaje electrónico generalmente se mide usando centímetro cuadrado por segundo voltio[cm²/V*s] para Movilidad. Metro cuadrado por voltio por segundo[cm²/V*s] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Movilidad del silicio con dopaje electrónico.